Renesas M306NKT-EPB Bedienungsanleitung Seite 79

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M306NKT-EPBユーザーズマニュアル 4.ハードウェア仕様
RJJ10J0681-0200 Rev.2.00 2006.10.16
4.2.2 メモリ拡張モードおよびマイクロプロセッサモード動作タイミング(Vcc3V)
(1)セパレートバスタイミング
4.5および4.4に、メモリ拡張モードおよびマイクロプロセッサモード(3ウェイト設定、外部領域をアクセス
した場合)のバスタイミングを示します。
4.5 メモリ拡張およびマイクロプロセッサモード(3ウェイト設定、外部領域をアクセスした場合)
MCU[ns] 本製品[ns]
td(BCLK-AD)
アドレス出力遅延時間
30
←同左
th(BCLK-AD)
アドレス出力保持時間(BCLK基準)
4
←同左
th(RD-AD)
アドレス出力保持時間(RD基準)
0 -3
th(WR-AD)
アドレス出力保持時間(WR基準) (2)
←同左
td(BCLK-CS)
チップセレクト出力遅延時間
30
←同左
th(BCLK-CS)
チップセレクト出力保持時間(BCLK基準)
4
←同左
td(BCLK-ALE)
ALE信号出力遅延時間
30
←同左
th(BCLK-ALE)
ALE信号出力保持時間
-4
←同左
td(BCLK-RD)
RD信号出力遅延時間
30
←同左
th(BCLK-RD)
RD信号出力保持時間
0
←同左
td(BCLK-WR)
WR信号出力遅延時間
30
←同左
th(BCLK-WR)
WR信号出力保持時間
0
←同左
td(BCLK-DB)
データ出力遅延時間(BCLK基準)
40
←同左
th(BCLK-DB)
データ出力保持時間(BCLK基準)
4
←同左
td(DB-WR)
データ出力遅延時間(WR基準) (1)
←同左
th(WR-DB)
データ出力保持時間(WR基準) (2)
←同左
1. BCLKの周波数に応じて次の計算式で算出されます。
()
40
)(
105.0
9
×
BCLKf
n
[ns] n3ウェイト設定の場合“3
2. BCLKの周波数に応じて次の計算式で算出されます。
10
)(
105.0
9
×
BCLKf
[ns]
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